硅晶片的檢測方法
?研磨后，進入刻蝕和清洗工藝，使用氫氧化鈉、乙酸和硝酸的混合物以減輕磨片過程中產生的損傷和裂紋。關鍵的倒角工藝是要將晶圓片的邊緣磨圓，徹底消除將來電路制作過程中破損的可能性。倒角后，要按照最終用戶的要求，經常需要對邊緣進行拋光，提高整體清潔度以進一步減少破損。拋光(化學機械拋光，Chemical Mechanical Polishing) 生產過程中最重要的工藝是拋光晶圓片，此工藝在超凈間中進行。超凈間從一到一萬分級，這些級數對應于每立方米空間中的顆粒數。這些顆粒在沒有控制的大氣環(huán)境下肉眼是不可見的。例如起居室或辦公室中顆粒的數目大致在每立方米五百萬個。為了保持潔凈水平，生產工人必須穿能蓋住全身且不吸引和攜帶顆粒的潔凈服。在進入超凈間前，工人必須進入吸塵室內以吹走可能積聚的任何顆粒。硅晶片大多數生產型晶圓片都要經過兩三次的拋光,拋光料是細漿或者拋光化合物。多數情況下，晶圓片僅僅是正面拋光，而300毫米的晶圓片需要雙面拋光。除雙面拋光以外，拋光將使晶圓片的一面象鏡面一樣。拋光面用來生產電路，這面必須沒有任何突起、微紋、劃痕和殘留損傷。
拋光過程分為兩個步驟，切削和最終拋光。這兩步都要用到拋光墊和拋光漿。切削過程是去除硅上薄薄的一層，以生產出表面沒有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質，只是從拋光表面去除切削過程中產生的微坑。拋光后，晶圓片要通過一系列清洗槽的清洗，這一過程是為去除表面顆粒、金屬劃痕和殘留物。之后，要經常進行背面擦洗以去除最小的顆粒。這些晶圓片經過清洗后，將他們按照最終用戶的要求分類，并在高強度燈光或激光掃描系統(tǒng)下檢查，以便發(fā)現不必要的顆?；蚱渌毕?。一旦通過一系列的嚴格檢測，最終的晶圓片即被包裝在片盒中并用膠帶密封。然后把它們放在真空封裝的塑料箱子里，外部再用防護緊密的箱子封裝，以確保離開超凈間時沒有任何顆粒和濕氣進入片盒。
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